搜狐网武汉9月18日电（记者侯文坤）记者18日从华中科技大学获悉，该校材料成型与模具技术国家重点实验室翟天佑教授团队，在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得了重要成果。 根据该进展，已经开发出一种具有边缘接触特性的新型二维浮栅晶体管器件。 与现有商用闪存器件的性能相比，其擦写速度、循环寿命等关键性能均得到了提升。 它是为了开发高性能、高密度存储器件。 容量存储设备提供了新的思路。
浮栅晶体管作为电荷存储器的一种，是构成当前大容量固态存储器发展的核心部件的核心部件。 然而，目前商用闪存中的硅基浮栅存储器件所需的擦除和写入时间在10微秒到1毫秒左右，远低于计算单元纳秒级的数据处理速度。 CPU，其循环寿命约为 10 万次，很难满足频繁的数据交互。 随着计算机数据吞吐量的爆炸性增长，开发一种能够结合高速和高循环耐久性的存储技术势在必行。
二维材料具有原子厚度和悬挂无键表面，可以有效避免器件集成过程中的窄沟道效应和界面态钉扎等问题。 它们是实现高密度集成和高性能闪存器件的理想材料。 然而，在之前的研究中，数据擦除和写入速度往往非常慢，很少有器件能够同时实现高速和高循环耐久性。 面对这一挑战，翟天佑团队开发了一种具有边缘接触特性的新型二维浮栅晶体管器件。 通过在传统的金属-半导体接触区进行二硫化钼的相变，从半导体相（2H）过渡到金属相（1T），使得器件中的金属-半导体接触类型从传统的3D/2D表面转变接触到2D/2D边缘接触与原子级锐利界面，实现10纳秒至100纳秒的擦除和写入速度。 纳秒级、循环寿命超过300万次的高性能存储器件。
“通过比较传统的表面接触电极与新型边缘接触，这项研究表明，优化二维浮栅存储器件中金属-半导体接触界面的制备对于提高擦除和写入速度以及循环寿命等关键性能具有重要作用。 ”翟天佑说道。 。
该图显示了边缘接触二维浮栅存储器的特性及其操作性能。 （照片由受访单位提供）
该成果题为“基于相变边缘接触的高速耐用二维浮栅存储器”，近日在线发表在国际学术期刊《自然通讯》上。
（本文来自新华网）
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