【汽车之家行业】近日，英飞凌宣布与中国新能源汽车充电市场企业英飞凌达成合作。 英飞凌将为英飞凌提供业界领先的1200 V CoolSiC？ MOSFET功率半导体器件可提高电动汽车充电站的效率。
与传统硅技术相比，SiC技术可使电动汽车充电站的效率提高1%，从而降低能耗和运营成本。 以100千瓦充电站为例，这意味着节省1度电，每年节省270欧元成本，减少3.5吨碳排放。 这将极大推动SiC功率器件在电动汽车充电模块中的应用。
作为首批在晶体管中使用沟槽栅极技术的 SiC 功率半导体制造商之一，英飞凌推出了有助于提高充电解决方案可靠性的先进设计。 这些器件具有高阈值电压并简化了栅极驱动。 CoolSiC MOSFET技术在上市前已通过马拉松应力测试和栅极电压跳变应力测试，并在上市后定期监测，以确保最高的栅极可靠性。
通过采用英飞凌的1200 V CoolSiC MOSFET，英飞凌的30 kW直流充电模块可以实现宽恒功率范围、高功率密度、最小的电磁辐射和干扰、高防护性能和高可靠性。 这使得它不仅可以满足大多数电动汽车的快速充电需求，而且可以实现比市场上其他解决方案高1%的效率。 这有助于大幅降低能源消耗和碳排放，达到世界领先水平。 （文/汽车之家杨宜春）
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